R. China Electric. 회로에서 복소 임피던스의 반응 부분이 사라집니다. 이 경우에는 나중에. 인덕터와 커패시터의 전압 강하 회로의 진폭은 QE입니다. 그러나 그 위상은 반대이며 서로 상쇄됩니다. R(그림 1의 b)의 병렬 회로에서 용량성 분기와 유도성 분기의 전류는 서로 보상합니다. 추종자와는 반대로. R., 외부에 K-rum이 장착되어 있습니다. 힘 작용은 전압원에 의해 수행되며, 병렬 회로에서는 공진 현상이 ext. 영향은 현재 소스에 따라 결정됩니다. 따라서 R. 순차적으로. 이 회로를 전압(R)이라 하고, 병렬회로에서는 전류(R)라고 한다. 병렬회로에 전류발생기 대신 전압발생기를 포함시키면 공진주파수에서 비최대조건을 만족하게 되고, 전류와 전압 사이의 위상각(149.9)이 사라지게 되어(j=0), 즉 전류와 전압의 위상이 변하게 된다.
이 경우 회로 Z(149.12)의 총 저항은 회로의 활성 저항 R과 동일하게 최소값이 되고 회로의 전류는 이 저항에 의해 결정되며 최대값(주어진 Um에 대해 가능)을 취합니다. 이 경우 능동 저항기 양단의 전압 강하는 회로에 인가되는 외부 전압(UR=U)과 같고, 커패시터(UC)와 인덕터(UL) 양단의 전압 강하는 동일하지만 위상이 반대입니다. 이 현상을 전압 공명(직렬 공진), 주파수(150.2)를 공진주파수라고 합니다.
기존 발진 회로의 Q 인자가 1보다 크기 때문에 인덕터와 커패시터 모두의 전압이 회로에 인가되는 전압을 초과합니다. 그러므로,직렬 공진현상은 특정 주파수에서 전압 변동을 증폭시키는 기술에 사용됩니다. 예를 들어, 커패시터의 두 끝 사이에 공진이 발생하는 경우 진폭이 QUm인 전압을 얻을 수 있습니다(이 경우 Q는 회로의 Q 인자로 Um보다 훨씬 높을 수 있음). 이러한 전압 증폭은 회로의 공진 주파수 근처의 좁은 주파수 간격 내에서만 가능하므로 많은 신호에서 특정 주파수의 진동을 선택하는 것이 가능합니다. 즉, 무선 수신기에서 원하는 파장에 맞게 조정할 수 있습니다.
전자 장치에서 시스템 응답의 유도성 구성 요소와 용량성 구성 요소가 평형에 도달하면 특정 주파수에서 공진이 발생하여 유도 구성 요소의 자기장과 커패시터의 전기장 사이에서 에너지가 순환하게 됩니다.
커패시터와 인덕터로 구성된 전자 장치를 발진 회로라고 합니다. 발진 회로의 구성요소는 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있습니다. 공진에 도달하면 직렬로 연결된 인덕터와 커패시터의 임피던스가 가장 작고, 병렬로 연결하면 가장 크다. 발진 회로의 공진 과정은 구성 요소와 전기 필터를 조정하는 데 사용됩니다. 공진 주파수는 사용된 요소의 값(등급)에 따라 달라집니다. 한편, 전자기기의 파손, 부적절한 설계, 제작 등으로 인해 예상치 못한 곳에서 공진이 발생하면 유해할 수 있습니다. 이러한 공진은 표유 소음, 신호 왜곡, 심지어 구성 요소 손상까지 유발할 수 있습니다.